CXMT는 20일 5세대 D램 공정 플랫폼을 통한 대량 생산에 돌입했다고 밝혔다. 이번 공정에는 회로 간격을 11.95나노미터(nm) 수준으로 좁히는 초미세 공정이 적용됐으며, 이를 위해 제조 공정을 반복하는 '쿼드러플 패터닝' 기술이 활용됐다. CXMT는 이 플랫폼을 기반으로 생산한 24기가비트(Gb) 용량의 LPDDR5X 스마트폰용 D램 신제품 2종도 함께 공개했다. 해당 제품은 기존 제품 대비 데이터 저장 용량이 50% 증가했으며, 8기가비트 칩 기준으로 웨이퍼당 생산량 또한 4세대 플랫폼 대비 50% 이상 늘어난 것으로 알려졌다. 뤄샤오둥 CXMT 부사장은 허페이에서 열린 '2026 세계 제조업 대회'에서 자사의 공정 역량이 업계 최첨단 수준과 대등하다고 평가했다. 이번 양산은 해외 반도체 기술 의존도를 낮추려는 중국 정부의 정책 기조 속에서 이루어졌다. 미국은 2022년부터 중국에 대한 첨단 반도체 장비 및 소프트웨어 수출을 통제하고 있다. 업계는 이번 성과를 통해 중국이 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등이 주도하는 글로벌 메모리 시장에서 경쟁력을 확보하려는 움직임으로 보고 있다.