29일 상하이증권거래소 공시에 따르면 CXMT는 총 349억 위안(약 7조 원)을 투입해 두 가지 신규 프로젝트를 추진한다. 우선 241억 위안을 들여 안후이성 허페이시에 12인치 메모리 웨이퍼 기술 연구개발 프로젝트를 진행한다. 이 중 93%에 해당하는 223억 9800만 위안은 설비 구입에 사용될 예정이다. 또한 108억 위안을 투입해 D램 테스트와 모듈 조립을 담당하는 후공정 테스트 기지 2단계 프로젝트를 건설한다. 이번 투자는 지난 7월 기업공개(IPO)를 통해 확보한 초과 모집 자금을 활용하며, D램 생산 확대에 따른 병목 현상을 해소하고 종합반도체기업(IDM) 체계를 강화하기 위한 목적이다. 해당 투자안은 지난 28일 이사회를 통과했으며 향후 주주총회 승인을 거쳐 추진될 예정이다. 카운터포인트리서치에 따르면 CXMT의 올해 2분기 글로벌 D램 시장 점유율은 10%를 기록했다.