중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 ‘4F²’ 구조를 적용한 서버용 D램 출시를 예고하며 글로벌 메모리 시장에 영향을 주고 있다. CXMT는 연말까지 4F² 셀 구조를 적용한 DDR5 RDIMM을 출시할 계획이다. 4F²는 D램 셀 하나가 차지하는 면적을 나타내는 설계 개념으로, 현재 주류인 6F² 구조 대비 셀 면적을 33.3% 줄일 수 있다.
삼성전자와 SK하이닉스는 기술 개발을 진행 중이나, CXMT의 생산능력 확대와 중국 내수시장, 정부 지원 등을 고려해야 한다는 분석이다. 특히, CXMT는 올해 1분기 글로벌 D램 매출 점유율이 7.6%에서 2분기 9.5%로 상승하는 등 빠르게 성장하고 있다.
송재혁 삼성전자 CTO는 '반도체대전(SEDEX) 2026'에서 CXMT의 기술에 대해 “삼성전자도 같은 기술을 개발 중”이라고 밝혔다. 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 HBM, HBF, D램 등의 기술력을 설명하고, 이준석 개혁신당 의원과 함께 국내 소부장 기업들을 방문했다.
![[서울=뉴시스]이지용 기자 = 송재혁 삼성전자 사장(왼쪽), 이준석 의원(가운데), 안현 SK하이닉스 사장(오른쪽)이 14일 오후 서울 강남구 코엑스에서 열린](https://img1.newsis.com/2026/10/14/NISI20261014_0002263420_web.gif?rnd=20261014161758)