한국재료연구원(KIMS) 지능형반도체재료연구센터 김용훈, 김지우 박사 연구팀은 부산대학교 이승기 교수 연구팀과 공동으로 350℃ 저온에서 차세대 2차원 반도체를 웨이퍼 10장에 동시 제조하는 기술을 개발했다. 연구팀은 웨이퍼 표면에 산화주석(SnOx)을 얇게 입힌 뒤 황화수소(H2S) 가스와 반응시켜 2차원 반도체 이황화주석(SnS2)으로 변화시켰다. 트랜지스터 200개를 제작해 성능을 평가한 결과 전류량이 평균 약 30만배 차이가 나는 것으로 나타났으며, 여러 웨이퍼에서 반도체 소재의 균일성과 트랜지스터 성능의 일관성을 확인했다. 이번 연구는 과학기술정보통신부 지원을 받아 국가과학기술연구회(NST) 연구사업, 한국재료연구원 기본사업, 한국연구재단 지원사업 및 경상국립대학교 글로컬대학30 사업으로 수행됐다. 연구 결과는 영국왕립화학회(RSC)가 발행하는 국제학술지 ‘나노스케일(Nanoscale)’ 7월 1일자에 게재됐다.