국내 연구진이 반도체를 구성하는 원자를 선택적으로 바꿔 하나의 얇은 박막에 반도체, 절연막, 전극 접합층을 구현하는 기술을 개발했다. 과학기술정보통신부는 기초과학연구원(IBS) 반데르발스 양자 물질 연구단 조문호 단장 연구팀이 '모듈형 트랜지스터 제작 기술'을 개발했다고 밝혔다. 연구에 따르면, 2차원 반도체는 기존 실리콘 반도체의 미세화 한계를 극복할 차세대 소재로 주목받고 있다. 연구팀은 이셀레늄화텅스텐(WSe₂)의 셀레늄 원자를 산소, 황, 텔루륨으로 치환해 각각 절연체인 산화텅스텐(WOₓ), n형 반도체인 이황화텅스텐(WS₂), 준금속인 이텔루륨화텅스텐(WTe₂)으로 변환했다. 0.7나노미터(㎚) 두께의 원자층 단위로 물질을 바꾸는 데 성공했으며, 반도체 공정용 마스크를 활용해 원하는 위치만 선택적으로 변환하는 기술도 구현했다. 성능 또한 우수하여, 전류를 10배 변화시키는 데 필요한 게이트 전압의 변화량은 61.3밀리볼트(㎷)로, 상온에서 기존 방식의 트랜지스터가 도달할 수 있는 이론적 최솟값에 근접했다. IBS는 이번 연구가 초저전력·초미세 반도체는 물론 차세대 적층형 반도체 소자 기술로도 확장될 수 있을 것으로 기대하고 있다.