UNIST 연구팀, 2차원 반도체 공정 오염 방지 기술 개발
UNIST 연구팀이 2차원 반도체인 이황화몰리브덴 표면에 희생 금속막을 입혀 공정 오염을 막는 기술을 개발해 트랜지스터 성능을 10배 향상했다.
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이황화몰리브덴 주제와 관련된 NEWN 기사 1건을 제공합니다.
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